产品技术

超宽工艺窗口,提供精确的温度、压力和气体流量控制,满足学术研究、材料科学实验和新材料开发需求,并可根据客户要求定制。
R&D MOCVD SYSTEM

研究型 MOCVD 设备

  • 关键核心部件自主研发生产,优化流程,设计创新

  • 全程数字化管理,工艺、性能稳定、成本缩减

  • 缩短材料生长周期,提升良率,确保生长过程的稳定性和可重复性

中科重仪半导体与中国科学院半导体研究所合作研发了面向科研实验室和中试型产线的MOCVD 系列设备。该设备具有自主知识产权,提供精确的温度、压力和气体流量控制,支持2-8英寸多种化合物半导体材料生长,具备优异的生长工艺稳定性和重复性,并可根据客户需求做定制化设计,充分满足学术研究、材料科学实验和新材料开发的需求,显著降低运行成本。

INNOVATIVE DESIGNS

三大创新设计

01.自动化控制与数据分析系统

可实现数据处理,原料流量控制,监控辅助设备运行状况等功能,并可进行生长参数预演,支持生长过程回放,进一步增强了系统功能和可靠性。

02.集成VR深度辅助教学系统

用于实验室运营维护和MOCVD及其配套设备模拟,以虚拟现实再现材料生长过程,将微观事物具象化,可缩短相关专业技能培训周期,减少成本支出。

03.用户可定制化

可根据客户需求定制气体管路数量和外延片尺寸(2-8"),满足不同材料的高质量外延生长。

OUR BENEFITS

产品优势

核心零部件及耗材国产化,技术自主可控,运行成本低

反应腔室温场、流场均匀性和稳定性优异

单炉可兼容 2~8英寸外延材料生长

基于模型的晶圆应力与翘曲控制系统,缩短工艺研发周期

全自动软件操作平台,包含可视化数据分析模块

可配套 VR 虚拟仿真教学平台,加速人才培养

AVAILABLE MATERIAL SYSTEMS

可生长材料体系

  • 氮化物半导体材料

    AlN, AlGaN, GaN, InGaN, AlScN

  • 过渡族金属硫族化合物

    MoS2, MoSe2, WS2, WSe2

  • 其他化合物

    β-Ga2O3, MgZnO, ZnO, GaAs, InP, 2-D BN, SiC

SYSTEM SPECIFICATIONS

设备参数

水平式反应器 / 垂直式反应器
托盘旋转系统

ZY314: 2″*3, 4″*1

ZY316: 2″*6, 4″*1, 6″*1

ZY318: 2″*12, 4″*3, 6″*1, 8″*1

内、中、外三温区加热,最高温度达1350℃

电阻加热

0~100 kPa

7路金属有机源管路,2路氢化物管路(可定制)