7月8日-10日，中科重仪参加了在湖北恩施举办的第十八届全国MOCVD学术会议及企业巡展，在业界专家学者面前与数十家国内外顶尖的化合物半导体科技企业共同展示了企业风采。
全国MOCVD学术会议是我国MOCVD领域的重要学术盛会之一，自1989年首届以来，每两年举办一届，见证了我国MOCVD技术与宽禁带半导体材料研究的成长历程。本次会议围绕材料生长、表征与装备，功率电子与射频器件，光电子器件与应用，超宽禁带半导体与前沿交叉等核心议题进行了深入研讨。
中科重仪作为一家致力于在第三代半导体材料氮化镓生产及应用上进行突破创新的国家高新技企业，参加了大会多个场次的活动，广泛搜集了国内外产学研界对MOCVD以及氮化镓功率器件市场的评估意见，为公司下一阶段的战略发展获取了颇有价值的信息。
中科重仪在会议上展出了最新的科研型MOCVD设备系列产品。该系列产品已实现核心零部件国产化，相较传统MOCVD设备，拥有3大独特设计与功能：
增设自动化控制与数据分析系统
可运行数据处理，原料流量控制，监控辅助设备运行状况等功能，并可进行生长工作预演，支持生长过程回放，同时进一步增强了系统功能和可靠性。
集成VR深度辅助教学系统
用于实验室运营维护和MOCVD及其配套设备模拟，以虚拟现实再现材料生长过程，将微观事物具象化，可缩短相关专业技能培训的周期，减少成本支出。
用户可定制化
可根据客户需求定制气体管路数量、外延片尺寸，满足不同材料的高质量外延生长。
同时，中科重仪在该系列MOCVD设备中创造性地运用了基于模型的新型应力与翘曲控制模块和控制策略，可有效缓解外延片龟裂状况，并保持极低的翘曲度。该系列产品的亮相引起了展会上多方高校、研究机构等潜在合作对象的兴趣。公司市场部门同事与对方进行了积极交流。
在大会的《材料生长、表征与装备》技术分论坛上，公司创始人兼CEO姚威振博士发表了题为《MOCVD反应腔结构与高质量GaN基半导体材料生长的关联性研究》的主题演讲，引发了与会嘉宾的广泛关注和热烈反响。姚威振博士凭借其在宽禁带半导体材料及国产化MOCVD装备领域的长期深耕，结合参与多项跨学科项目的丰富研究经验，对MOCVD反应腔结构设计如何影响GaN基半导体材料生长，提出了创新性的研究思路。
姚博士指出，现有的Ⅲ族氮化物材料制备工艺易引入高密度缺陷、杂质及表面起伏，严重影响材料质量和器件性能。通过调整MOCVD反应腔结构，例如优化腔室高度和温度梯度，以及气源预处理装置等，可以显著提升GaN材料生长质量和均匀性。通过调控温场使基板产生预翘曲，仅需单层AIN和AIGaN缓冲层，实现大尺寸Si基GaN外延厚膜材料的无裂纹生长，简化了工艺流程。这些研究成果为MOCVD设备的研发改造和GaN基半导体材料器件生长提供了重要参考。
为了探讨新形势下MOCVD装备及宽禁带半导体材料技术发展，本届大会设立了“最佳Poster奖”评审活动。中科重仪主要参与的一项科研课题取得重大成果，并制作了题为《Research on Stress Engineering and Its Mechanisms in Buffer Layers on Si(111) Substrates》的Poster。该Poster经由大会专家投票，从180余个参展作品中脱颖而出，荣获第一名。
未来，中科重仪将持续完善公司产能布局，提升研发能力和生产效率，为中国宽禁带半导体材料市场提供高效、安全、可靠的产品和解决方案。