产品技术
中科重仪致力于为半导体行业提供性能优越的国产化MOCVD高端设备和高品质服务。
Production-Oriented MOCVD SYSTEM
生产型MOCVD设备
中科重仪与中国科学院半导体研究所合作研发了具有自主知识产权且核心零部件国产化 MOCVD 设备，用于电子电力方向大尺寸硅基氮化镓外延片生产，技术指标达到国际同类产品先进水平。
独创的MOCVD设备反应腔
为了精准调节 MOCVD 反应腔内部的温度场和流场，使其能满足复杂的外延片生长条件，保证每一层材料的厚度均一性，中科重仪对 MOCVD 设备的反应腔进行多处创新设计。
解决应力翘曲
为了降低应力，防止外延片材料产生翘曲和龟裂，中科重仪的 MOCVD 设备装载了 RT/C 监测器，原位监测外延层的厚度、温度、曲率，并结合 “Yao 模型”应力分析方法，分解出外延层中每一子层中的应力状况，有的放矢地优化各个子层的生长条件，从而能在 Si 衬底上生长出几乎无应力的厚度达到 5μm及以上的GaN层材料。
提高产能，降低成本
我们的国产化设备在保证外延片性能的同时具有更大的产能，单炉可生长 6 片 8 英寸 GaN-on-Si 外延片，而耗材成本只有进口设备的20%。
提高生产效率
为提高生产效率，我们开发了 MOCVD 设备自动化控制系统与数据分析平台。该平台操作便捷，具备强大的数据监测和分析功能，可实现生产过程的全面管理，从而缩短研发周期，提供更高性价比的外延片。
技术自主可控
我们与国内多家头部仪器企业展开深度合作，共同研发并采用高品质的MOCVD专用核心部件，实现了MOCVD设备全部核心零部件的国产化。